蝕刻機與光刻機的區(qū)別在于：光刻機會將圖案印制到材料上，然后蝕刻機根據(jù)這個圖案去除相應(yīng)區(qū)域（無論是有圖案的還是沒有圖案的部分），保留其它部分。與光刻相比，蝕刻操作相對簡單。可以把在硅晶體上進行加工比作木匠的工作：光刻機相當(dāng)于木匠在木材上用墨斗劃線，而蝕刻機則像木匠使用鋸子、鑿子、斧頭和刨子等工具來進行加工。雖然蝕刻機和光刻機在性質(zhì)上是類似的，但對精度的要求卻差異很大。木匠的精細工作通常只需達到毫米級別，而用于芯片制造的蝕刻機和光刻機則必須達到納米級別。比如，現(xiàn)在的手機芯片采用的是臺積電的10納米技術(shù)。10納米有多小呢？假設(shè)將一根直徑為0.05毫米的頭發(fā)絲平均分成5000段，那么每一段的厚度大致就是10納米。
光刻機，也稱為掩模對準(zhǔn)曝光機、曝光系統(tǒng)或光刻系統(tǒng)，是一種重要的設(shè)備。一般的光刻工藝包括以下步驟：清洗和烘干硅片表面、涂覆底層、旋涂光刻膠、進行軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘以及刻蝕等過程。
光刻是指利用光線制作圖形的工藝。首先在硅片表面均勻涂布光刻膠，然后將掩模上的圖形通過光線轉(zhuǎn)印到光刻膠上，這一過程相當(dāng)于將器件或電路結(jié)構(gòu)暫時“復(fù)制”到硅片上。