光刻技術(shù)和離子注入是芯片制造中的2個(gè)階段，下邊是一些材料也許可以使你掌握到這兩個(gè)的差別。蝕刻機(jī)的基本工作原理是按光刻技術(shù)雕出的控制電路構(gòu)造，在單晶硅片上開(kāi)展外部經(jīng)濟(jì)手工雕刻，雕出管溝或觸碰孔。與塑料薄膜加工工藝比較應(yīng)，是微結(jié)構(gòu)生產(chǎn)加工中至關(guān)重要的“加減法加工工藝”。詳細(xì)的離子注入生產(chǎn)流程分3步：塑料薄膜堆積進(jìn)行后開(kāi)展光刻技術(shù)、離子注入、除膠清理。光刻技術(shù)的實(shí)質(zhì)便是把臨時(shí)性電源電路構(gòu)造拷貝到單晶硅片上，這種構(gòu)造以圖像方式制做在掩模板上。燈源通過(guò)掩模板把圖型遷移到單晶硅片外表的感光塑料薄膜上。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展的角度觀察，半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈涉及到原材料、機(jī)器設(shè)備等支撐點(diǎn)性領(lǐng)域，ic設(shè)計(jì)、晶圓制造和測(cè)封領(lǐng)域，半導(dǎo)體材料商品終端設(shè)備運(yùn)用領(lǐng)域等。以電子器件為象征的半導(dǎo)體材料商品主要用途普遍，中下游運(yùn)用領(lǐng)域的市場(chǎng)需求提高是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展的關(guān)鍵推動(dòng)力力。
離子注入加工工藝按反映基本原理歸類：
干法刻蝕:把單晶硅片表層裸露于汽態(tài)中，造成等離子，等離子體根據(jù)光刻技術(shù)或掩膜對(duì)話框與塑料薄膜產(chǎn)生純物理學(xué)或化學(xué)變化（或融合），除去曝露的表層原材料。干法刻蝕是亞微米規(guī)格下離子注入元器件的具體方式。干法離子注入：應(yīng)用液態(tài)化學(xué)藥品（如酸、堿和合劑）以有機(jī)化學(xué)方法除去表層塑料薄膜原材料。干法離子注入一般僅僅在規(guī)格過(guò)大的情形下（超過(guò)3μm）。
光刻技術(shù)原理：光刻技術(shù)根據(jù)一系列的燈源動(dòng)能、樣子操縱方式，將光線電子散射過(guò)畫(huà)著路線圖的掩膜，經(jīng)測(cè)微目鏡賠償各種各樣電子光學(xué)偏差，將路線圖成占比變小后投射到硅塊上，隨后應(yīng)用有機(jī)化學(xué)方式顯影液，獲得刻在單晶硅片上的電路原理圖。
光刻技術(shù)是半導(dǎo)體材料，控制面板，PCB等行業(yè)生產(chǎn)加工制作中的主要原材料。光刻技術(shù)是由環(huán)氧樹(shù)脂，感光劑，有機(jī)溶劑，光穩(wěn)定劑等構(gòu)成的混和液體光學(xué)材料。光刻技術(shù)運(yùn)用的機(jī)理是運(yùn)用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)光刻工藝將所必須的細(xì)微圖型遷移到生產(chǎn)加工襯底上，來(lái)做到在單晶硅片上離子注入派出所需的圖案或抗離子注入的目地。
有利于我們了解，簡(jiǎn)易而言，光刻技術(shù)是在一塊木材中作了一幅畫(huà)，而蝕刻機(jī)便是依據(jù)光刻技術(shù)的畫(huà)手工雕刻出3D的著作。但事實(shí)上全過(guò)程并沒(méi)有大家描述的這么簡(jiǎn)單。